RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
75
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
73
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1724
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link