RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
75
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2575
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link