RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3697
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link