RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2292
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link