RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2708
3409
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link