RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3257
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link