RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2964
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link