RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3861
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link