RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
5.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1884
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link