RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
74
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
74
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1925
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link