RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1983
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link