RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
53
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,752.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
33
53
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
4,200.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
1,752.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
6400
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
547
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unigen Corporation LEX010SGD2800QU-EJ 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link