RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3098
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link