RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3346
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link