RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
3413
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link