RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
34
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2319
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link