RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2179
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link