RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
122
Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
122
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1411
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link