RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
62
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2138
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link