RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3075
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link