RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
4124
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link