RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3013
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link