RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3673
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link