RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2407
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link