RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2183
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link