RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1789
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link