Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 40
    Wokół strony 30% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 40
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2112 left arrow 1789
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania