RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3296
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link