RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2341
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link