RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2689
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link