RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2537
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link