RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
74
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
74
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
1925
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link