RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
49
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2534
2589
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kllisre 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link