RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
49
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2534
2589
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link