RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3705
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link