RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3635
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link