RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3166
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link