RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link