RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3804
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link