RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
51
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
50
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1976
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link