RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2339
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link