RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2447
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link