RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2312
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link