RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
51
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
43
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2532
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link