RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
58
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
58
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2025
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link