RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2594
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link