RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2608
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link