RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
55
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2701
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link