RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1983
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
INTENSO 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link