RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
56
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
56
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2455
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link