RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3008
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link