RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Porównaj
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3271
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link